Как правильно натянуть шнурку
Куски шнура стали удобным элементом одежды. Разные модельеры платьев и сандалий выбирают их для подчеркивания особенности тусовщика, приверженности прогрессивному известному движению или обществу. Из обычного куска сплетенных ниток шнурок преобразился в деталь, которой стилисты уделяют разное внимание.
В отличие от других типов запоминающих устройств, информация в магниторезистивной памяти хранится не в виде электрических зарядов или токов, а в магнитных элементах памяти. Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделенных тонким слоем диэлектрика.
Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля. Устройство памяти организовано по принципу сетки, состоящей из отдельных «ячеек», содержащих элемент памяти и транзистор.
Считывание информации осуществляется измерением электрического сопротивления ячейки. Отдельная ячейка (обычно) выбирается подачей питания на соответствующий ей транзистор, который подаёт ток от источника питания через ячейку памяти на общую землю микросхемы.
Вследствие эффекта туннельного магнитосопротивления, электрическое сопротивление ячейки изменяется в зависимости от взаимной ориентации намагниченностей в слоях. По величине протекающего тока, можно определить сопротивление данной ячейки, и как следствие, полярность перезаписываемого слоя. Обычно одинаковая ориентация намагниченности в слоях элемента интерпретируется как «0», в то время как противоположное направление намагниченности слоёв, характеризующееся более высоким сопротивлением — как «1».
Информацию можно записывать в ячейки, используя множество способов. В простейшем случае, каждая ячейка лежит между двумя линиями записи, размещёнными под прямым углом друг к другу, одна над, а другая под ячейкой.
Когда ток проходит через них, в точке пересечения линий записи наводится магнитное поле, которое воздействует на перезаписываемый слой. Такой же способ записи использовался в памяти на магнитных сердечниках, которая использовалась в 1960х годах.
Этот способ требует достаточно большого тока, необходимого для создания поля, и это делает их не очень подходящими для применения в портативных устройствах для которых важна малое потребление энергии, это один из основных недостатков MRAM. Кроме того, с уменьшением размера микросхем, придёт время, когда индуцированное поле перекроет соседние ячейки на маленькой площади, что приведёт к возможным ошибкам записи.
Из-за этого в памяти MRAM данного типа необходимо использовать ячейки достаточно большого размера. Одним из экспериментальных решений этой проблемы было использование круглых доменов, читаемых и записываемых с помощью эффекта гигантского магнитного сопротивления, но исследования в этом направлении более не проводятся.
Другой подход, переключения режимов, использует многошаговую запись с модифицированной многослойной ячейкой. Ячейка модифицирована содержит в себе искусственный антиферромагнетик, где магнитная ориентация чередуется назад и вперёд через поверхность, с обоими прикреплённым и свободным слоями, составленными из многослойных стеков изолированных тонким «соединяющим слоем».
Результирующие слои имеют только два стабильных состояния, которые могут быть переключены из одного в другое выбором времени тока записи в двух линиях так одна немного задерживается, таким образом «поворачивая» поле. Любое напряжение меньшее, чем полный уровень записи фактически увеличивает его сопротивление для переключения. Это значит, что ячейки расположенные вдоль одной из линий записи не будут подвержены эффекту непреднамеренного перемагничивания, позволяя использовать меньшие размеры ячеек.
Новая технология, переноса спинового момента (spin-torque-transfer-STT) или переключение с помощью переноса спина, использует электроны с заданным состоянием спина («поляризованные»), прямо вращая области. Особенно, если электроны текут внутрь слоя, должно измениться их вращение, это будет способствовать вращению, будет перенесено на ближайший слой.
Это уменьшает величину тока, необходимую для записи информации в ячейку памяти, и потребление только при чтении и записи становится примерно одинаковым. Технология STT должна решить проблемы с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и соответствующего увеличения тока необходимого для записи.
Поэтому технология STT будет актуальна при использовании технологического процесса 65 нм и менее. Нижняя сторона такая, в настоящее время, STT необходимо переключать больше тока через управляющий транзистор, чем обычной MRAM, требующей больший транзистор, и необходимо поддерживать когерентность вращения. В целом, несмотря на это, STT требует намного меньшего тока записи, чем обычная или переключательная MRAM.
Другими возможными путями развития технологии магниторезистивной памяти являются технология термического переключения (TAS-Thermal Assisted Switching) при которой во время процесса записи магнитный туннельный переход быстро нагревается (подобно PRAM) и в остальное время остается стабильным при более низкой температуре, а также технология вертикального транспорта (VMRAM-vertical transport MRAM) в которой ток проходящий через вертикальный столбцы меняет магнитную ориентацию, и такое геометрическое расположение ячеек памяти уменьшает проблему случайного перемагничивания и соответственно может увеличить возможную плотность размещения ячеек.
Плотность размещения элементов в микросхеме[править | править вики-текст]
Главным фактором, от которого зависит себестоимость производства микросхем памяти, это плотность размещения в ней отдельных ячеек. Чем меньше размер одной ячейки, тем большее их количество может быть размещено на одной микросхеме, и соответственно большее число микросхем может быть произведено за один раз из одной кремниевой пластины. Это улучшает выход годных изделий, и снижает стоимость производства микросхем.
В памяти типа DRAM в качестве элементов памяти используются конденсаторы, проводники переносят ток к ним и от них, и управляющий транзистор — так называемая ячейка «1T/1C». Конденсатор представляет собой две маленькие металлические пластинки, разделённые тонким слоем диэлектрика, он может быть изготовлен таким маленьким, как это позволяет сделать текущее развитие технологического процесса.
Память DRAM имеет наивысшую плотность ячеек из всех доступных на сегодняшний день типов памяти. Это делает её наиболее дешёвой, и она используется в качестве основной оперативной памяти компьютеров.
Своей конструкцией ячейка памяти MRAM похожа на ячейку DRAM, хотя иногда в ней не используется транзистор для записи информации. Однако как упоминалось выше, память MRAM испытывает проблему полувыбора, из-за которой размер ячейки при использовании обычной технологии MRAM ограничен размером 180 нм и более.
Используя технологию MRAM с переключением режимов можно достичь гораздо меньшего размера ячейки до того как эффект полувыбора станет проблемой — по видимому около 90 нм. Большинство современных микросхем DRAM памяти имеют размер ячейки 32 и 20 нм. Хотя это достаточно хорошие характеристики для внедрения в производство, есть перспективы в достижении магниторезистивной памятью размеров 65 нм, аналогично самым передовым устройствам памяти, для этого требуются использовать технологию STT.
Энергопотребление[править | править вики-текст]
Так как конденсаторы, используемые в микросхемах DRAM, со временем теряют свой заряд, микросхемы памяти, использующие их, должны периодически обновлять содержимое всех ячеек, считывая каждую ячейку и перезаписывая её содержимое. Это требует наличия постоянного источника питания, поэтому, как только питание компьютера отключается, память типа DRAM теряет всю хранимую информацию. Чем меньше размеры ячейки памяти, тем чаще необходимы циклы обновления, и в связи с этим энергопотребление растет.
В отличие от DRAM, MRAM не требует постоянного обновления. Это означает не только то, что память сохраняет записаннную в нее информацию при отключенном питании, но и то что при отсутствии операций чтения или записи, энергия вообще не потребляется.
Хотя теоретически при чтении информации память MRAM должна потреблять больше энергии, чем DRAM, на практике энергоёмкость чтения у них почти одинаковая. Тем не менее, процесс записи требует от в 3—8 раз большей энергии чем при чтении, — эта энергия расходуется на изменение магнитного поля.
Хотя точное количество сберегаемой энергии зависит от характера работы, — более частая запись потребует больше энергии, — в целом ожидается более низкое энергопотребление (до 99% меньше) в сравнении с DRAM. При применении технологии STT MRAM потребление энергии при записи и чтении примерно одинаковое, и общее энергопотребление еще меньше.
Можно сравнить магниторезистивную память с еще одним конкурирующим типом памяти, с флэш-памятью. Как и магнито-резистивная память, флэш-память энергонезависима.
Флэш-память не теряет информацию при отключении питания, что делает её очень удобной для замены жёстких дисков в портативных устройствах, таких как цифровые плееры или цифровые камеры. При чтении информации, флэш-память и MRAM почти одинаковы по уровню энергопотребления.
Однако для записи информации в микросхемах флэш-памяти, необходим мощный импульс напряжения (около 10 В), который накапливается определенное время при накачке заряда, — для этого требуется много энергии и времени. Кроме этого импульс тока физически разрушает ячейки флэш-памяти, и информация в флэш-памяти может быть записана ограниченное число раз, прежде чем ячейка памяти выйдет из строя.
В отличие от флэш-памяти, микросхемам MRAM для записи энергии требуется ненамного больше, чем для чтения. Но при этом не надо увеличивать напряжение и не требуется накачка заряда.
Это ведёт к более быстрым операциям, меньшему энергопотреблению, и к отсутствию ограничения срока службы. Предполагается что, флэш-память будет первым типом микросхем памяти, который будет со временем заменён MRAM.
Быстродействие[править | править вики-текст]
Быстродействие памяти типа DRAM ограничено скоростью, с которой заряд, хранящийся в ячейках, может быть слит (для чтения) или накоплен (для записи). Работа MRAM основана на измерении напряжений, что предпочтительнее, чем работа с токами, так как переходные процессы более быстрые.
Исследователи IBM продемонстрировали устройства MRAM с временем доступа порядка 2 нс, что заметно лучше чем даже у самых совершенных DRAM, построенных на самых новых технологических процессах. Преимущества по сравнению с Flash-памятью более значительные, — длительность чтения у них почти одинаковая, но длительность записи в MRAM в тысячи раз меньше.
Только одна современная технология памяти может конкурировать в быстродействии с магниторезистивной памятью. Это статическая память или SRAM. Ячейками SRAM памяти являются триггеры, которые хранят одно из двух состояний так долго, как долго поступает энергия.
Каждый триггер состоит из нескольких транзисторов. Так как для транзисторов характерно очень низкое энергопотребление, длительность их переключения очень мала.
Но поскольку ячейка памяти SRAM состоит из нескольких транзисторов, — обычно четырёх или шести, — её площадь больше, чем у ячейки памяти типа DRAM. Это делает память SRAM более дорогостоящей, поэтому она используется только в малых объемах, — в качестве особо быстродействующей памяти, как например кэш-память и процессорные регистры в большинстве современных моделей центральных процессоров. Не следует забывать также, что и сейчас у процессоров делают несколько уровней кэш-памяти, имеющих разные скорость и объем.
Хотя магниторезистивная память не такая быстрая, как SRAM-память, она достаточно интересна и в этом качестве. Она обладает более высокой плотностью, и разработчики центральных процессоров могли бы в будущем выбирать для использования в качестве кэш-памяти между большим объемом менее быстрой MRAM-памяти и меньшим объемом более быстрой SRAM-памяти. Остаётся увидеть, как она продаётся, как сыграет в будущем.
Общее сравнение[править | править вики-текст]
Магниторезистивная память имеет быстродействие, сравнимое с памятью типа SRAM, такую же плотность ячеек, но меньшее энергопотребление, чем у памяти типа DRAM, она более быстрая и не страдает деградацией по прошествии времени в сравнении с флэш-памятью. Это та комбинация свойств, которая может сделать её «универсальной памятью», способной заменить SRAM, DRAM и EEPROM и Flash. Этим объясняется большое количество направленных на её разработку исследований.
Конечно, на данный момент MRAM ещё не готова для широкого применения. Огромный спрос на рынке флэш-памяти вынуждает производителей к агрессивному внедрению новых технологических процессов.
Самые последние фабрики, на которых например изготавливает микросхемы флэш-памяти ёмкостью 16 Гбайт фирма Samsung, используют 50 нм технологический процесс. На более старых технологических линиях изготавливаются микросхемы памяти
DDR2 DRAM, для которых используется 90 нм технологический процесс предыдущего поколения.
Магниторезистивная память всё ещё в значительной степени находится «в разработке», и производится с помощью устаревших технологических процессов. Так как спрос на флэш-память в настоящее время превышает предложение, то еще не скоро появится компания, которая решится перевести одну из своих фабрик, с новейшим технологическим процессом на изготовление микросхем магниторезистивной памяти. Но и в этом случае, конструкция магниторезистивной памяти на сегодняшний момент проигрывает флэш-памяти по размерам ячейки, даже при использовании одинаковых технологических процессов.
Другая скоростная память, находящаяся на стадии активного освоения — Antifuse ROM. Являясь однократно программируемой, она подходит только для неизменяемых программ и данных, но по скорости также допускает работу на непосредственной частоте процессора, аналогично SRAM и MRAM.
Antifuse ROM активно внедряется в контроллерах и FPGA, где программный продукт неотъемлем от аппаратного обеспечения. Ячейки Antifuse ROM потенциально компактнее, технологичнее и дешевле ячеек MRAM, но эта их перспектива также не раскрыта, аналогично MRAM.
Учитывая то, что многие пользователи часто используют флэш-накопители для архивного хранения, например, фотографий, для которых флэш-память мало предназначена из-за проблем многолетнего удержания заряда, т. е. фактически используют флэш-память как ПЗУ, на потребительском рынке Antifuse ROM, являясь своего рода преемником CD-R, также может рассчитывать на "делёжку рынка" с MRAM.
- 1955 — изобретение памяти на магнитных сердечниках, использующей сходный с MRAM, способ чтения и записи информации.
- 1989 — учёные IBM сделали ряд ключевых открытий о «гигантском магниторезистивном эффекте» в тонкоплёночных структурах.
- 1995 — Motorola (в дальнейшем Freescale) начинает разработку MRAM.
- 2000 — IBM и Infeneon установили общую
программу развития MRAM.
- 2002 — NVE объявляет о технологическом обмене с Cypress Semiconductor.
- 2003—128 кбит чип MRAM был представлен, изготовленный по
0,18 мкм технологии.
2004
- Июнь — Infineon анонсирует 16-Мбит опытный образец, основанный на 0,18 мкм технологии.
- Сентябрь — MRAM становится
- стандартным продуктом в Freescale, которая начала испытывать MRAM.
- Октябрь — Тайваньские разработчики MRAM печатают 1 Мбит элементы на TSMC.
- Октябрь — Micron бросает MRAM, обдумывает другие памяти.
- Декабрь — TSMC, NEC, Toshiba описывают новые ячейки MRAM.
- Декабрь — Renesas
Technology разрабатывают высокоскоростную, высоконадёжную технологию MRAM.
2005
- Январь — Cypress испытывает MRAM, использует NVE IP.
- Март — Cypress продаёт дочернюю компанию MRAM.
- Июнь — Honeywell сообщает таблицу данных для 1-Мбит радиационно-устойчивой MRAM, используя 0,15 микрометров технологию.
- Август — рекорд MRAM: Ячейка памяти работает на 2 ГГц.
- Ноябрь — Renesas Technology и Grandis сотрудничают в разработке 65 нм MRAM, применяя вращательно-крутящее перемещение.
- Декабрь — Sony
представляет первую лабораторию производящую
вращательно-крутящее-перемещение MRAM, которая использует
вращательно-поляризованный ток через туннельный
магниторезистивный слой для записи данных. Этот метод более
энергоэффективен и более расширяем, чем обыкновенная MRAM.
С дальнейшими преимуществами в материалах, этот процесс должен позволить достичь плотностей, больших, чем те, что возможны в DRAM.
- Декабрь — Freescale анонсирует MRAM, в которой вместо оксида алюминия используется оксид магния, позволяющий делать более тонкий изолирующий туннельный барьер и улучшенное битовое сопротивление в течение цикла записи, таким образом, уменьшая требуемый ток записи.
2006
- Февраль — Toshiba и NEC анонсировали 16 Мбит чип MRAM
с новой «энерго-разветвляющейся» конструкцией. Они добились
частоты перемещения в 200 МБ/с, с временем цикла 34 нс —
лучшая производительность любого чипа MRAM.
Они также гордятся наименьшим физическим размером в своём классе — 78,5 квадратных миллиметров — и низким требованием энергии 1,8 вольт.
- Июль — 10 июля Freescale выводит на рынок 4 Мбит чипы
MRAM, по цене приблизительно ,00 за штуку.
2007
- Ноябрь — компания NEC разработала самую быструю в мире
магниторезистивную SRAM-совместимую память, с рабочей частотой
250 МГц.
2008
- В японском искусственном спутнике SpriteSat, была применена магниторезистивная память производства Freescale для замены компонентов SRAM и FLASH.
- Март — концерн Siemens выбрал в качестве энергонезависимой памяти для новых промышленных панелей оператора, микросхемы MRAM памяти емкостью 4 Мб, производства Everspin Technologies.
- Июнь — Samsung и Hynix становятся партнерами по разработке STT-MRAM.
- Июнь — Freescale выделяет весь свой бизнес, связанный
с магниторезистивной памятью, в отдельную компанию Everspin.
2009
- Февраль — компании NEC и NEC Electronics заявили об успешной демонстрации работающей памяти магниторезисторного типа емкостью 32 Мб.
2010
- Апрель — компания Everspin представила первые в мире коммерчески доступные микросхемы MRAM ёмкостью 16 Мб.
2011
- Август — Samsung заявила о приобретении Grandis — поставщика запоминающих устройств на основе памяти STT-RAM.
2012
- Ноябрь — Everspin начинает пробные поставки магниторезистивной памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM
2013
- Октябрь —"Крокус Наноэлектроника", совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology запускают завод по выпуску MRAM памяти с топологическим размером элемента 90 нм [1]
Предполагается использовать память MRAM в таких устройствах как:
Если основание размечено правильно, это гарантирует:
- Простоту сооружения стен
- Экономию стройматериалов
- Четкое следование проекту здания
При создании проектных документов принимается во внимание не только фактура стройматериалов, но также и их точные параметры. Когда разметка основания дома производится с нарушениями, то в дальнейшем становится неизбежным процесс корректировки бревен, бруса и прочих конструктивных элементов при сооружении стен.
Перед тем, как разметить ленточный фундамент либо плитный, определитесь с месторасположением будущего здания. Если будущая стройплощадка неровная, ее нужно выровнять.
Вернуться к содержанию
Немного необходимой теории
Человечество создало свой «прямоугольный» мир Декартову систему координат. Все производимые строительные материалы имеют вид прямоугольных заготовок. От досок до рулонов, матов и плит утеплителя.
От кирпичей и блоков до бетонных плитных перекрытий.
Исходя из чего, очень важно при разметке основания выдерживать эту прямоугольность. А для этого надо знать два основополагающих принципа.
Первый из них: у прямоугольника диагонали всегда равны. Если их длины не совпадают – значит, вы построили не прямоугольник. Но, есть и одно исключение.
Диагонали являются равными также у равнобедренной трапеции. Поэтому не радуйтесь преждевременно, когда добьетесь совпадения величин диагоналей, а используйте второй необходимый принцип.
Совет от мастера!
Для гарантии создания прямого угла нужен «золотой» или «египетский» треугольник. Он, по теореме Пифагора, обладает сторонами в 3, 4 и 5 условных единиц. Иными словами, его катеты обладают длиной в 3 и 4 ед., гипотенуза же равна 5 ед.
Подобный треугольник прямоугольный всегда.
Для разметки вам нужна будет рулетка, а также много длинного и прочного шнура. Желательно иметь несколько прищепок потуже, дабы не терять время на колышки.
Размечаем фундамент – самый простой способ
Вслед за тем, как вы определитесь с размерами и типом фундамента, можно начинать размечать первую из стен. При этом все равно, какую – заднюю, фасад либо боковую. Она же ориентируется в необходимом вам направлении.
Длина данной стены не учитывается, наоборот – берется с запасом в 0.5-1 м от будущих углов. В тех местах забейте колышки и натяните шнур. Таким образом, вы зададите направление стены и примерное ее расположение.
Нужно пояснить цель, с которой подобное делается. Впоследствии вы будете вынимать землю для обустройства фундамента. Если вы установите колышек сразу в точку будущего угла основания, то при выемке почвы он просто-напросто упадет.
Заменой колышкам может стать 1-2 м доска с прибитыми к ней двумя колышками. В торец доски вбиваются гвозди в любом из мест. Это позволяет оперативно двигать шнур вправо-влево.
Приспособление называется «обноска» и дает возможность размечать фундамент с точностью до нескольких миллиметров. С ним и работать гораздо удобней, чем с колышками.
Когда вы растянете первый шнур и наметите место для первой стены, у вас появится точка отсчета, от которой вы и будете отталкиваться. Далее нужно определить место, где будет угол основания.
Повесьте на данном месте на шнур прищепку (либо забейте колышек) и отметьте длину стены. Так у вас появятся уже два угла.
Идентичную обноску сделайте и для следующей стены, той, которая перпендикулярна первой. На первом из шнурков отмерьте 3 единицы. Стоит сказать, что чем единицы будут длиннее, тем более точным будет искомый прямой угол.
Возьмем для примера ровно 3 м. Повесьте в этой точке прищепку.
От точки пересечения шнуров отмерьте 4 единицы, в нашем случае – это 4 метра и также повесьте прищепку. При помощи рулетки и напарника измерьте расстояние меж двумя прищепками. В идеале оно будет равным 5 метрам.
Совет от мастера!
Конечно, сразу же вы не получите правильный результат. Если расстояние меньше, это будет значить, что угол менее 90 градусов, то есть – острый. Если результат замера больше пяти метров, значит угол тупой, то есть – более 90 градусов.
В таком случае нужно сдвинуть один из концов второго шнура в ту либо иную сторону.
Далее, снова отмерьте 3 метра от точки пересечения шнуров по первому из них и 4 метра по второму. Затем опять измерьте гипотенузу.
Подобные перемещения и последующие измерения производятся до тех пор, пока вы не получите необходимый результат гипотенузу треугольника, равную 5 метрам. Иными словами, пока разметка стен не будет расположена точно перпендикулярно.
Теперь вы можете отмерить длину второй из стен и повесить в этом месте прищепку (либо забейте колышек). Так вы получите третий угол здания.
У вас также появится и диагональ. Вследствие этого, найти точку для четвертого из углов это уже дело техники. Установив обноску, просто найдите место, где пересекаются третий и четвертый шнуры, при условии, что длины у противоположных стен будут равными.
Подобным образом размечается внешний периметр фундамента. Если он плитного типа, то этого вполне достаточно. Когда необходимо ленточное основание, нужен и внутренний периметр, который находится так же, как и внешний, с учетом ширины фундаментной ленты.
Вот и все о том, как правильно разметить фундамент, не прибегая к сложному оборудованию и расчетам.
end_content google_ad_section_end Как правильно сделать плитный фундаментПлитный фундамент для баниРазметка фундамента под банюЛенточный фундамент
Хотя разметка фундамента может показаться сложной работой, выполнить ее на практике не так уж и трудно. Самое важное - разбить процесс на отдельные операции, каждую из которых можно свести к определению точек в пространстве и их переносу. В предыдущей статье, Начало строительства загородного дома. Фундаментные работы. Разметка фундамента >>>, было рассказано о начальных этапах работы по разметке простого фундамента. Но вот котлован вырыт. Что же дальше?
Итак, экскаватор покинул стройплощадку и теперь нужно восстановить разметку углов и верхней линии фундамента по оставшимся угловым базисным колышкам. Для этого отступите от них примерно на 1 м и забейте в землю стойки обноски (по две на каждый колышек) так, чтобы их торцы превышали верхнюю линию будущего фундамента. Затем нивелиром (рис. 1) «прострелите» горизонтальную плоскость (в нашем случае она расположена на высоте 1190 мм над верхним срезом базисного колышка) и определите высоту верхней линии фундамента. Эту операцию лучше делать вдвоем.
Попросите своего напарника приложить линейку или измерительную рейку к одной из стоек обноски и приподнять ее до отметки, соответствующей разнице между показанием, считанным над базисным колышком (1190 мм), и перепадом (830 мм). Это значение равно 1190-830 = 360 мм. Таким образом, как только вы увидите в перекрестье нивелира это число на линейке, скомандуйте помощнику, чтобы он отметил на стойке положение нижнего торца линейки.
Отметив высоту верхней линии фундамента на всех стойках обноски, скрепите каждую пару досками, а затем натяните шнуры — они покажут вам верхнюю линию фундамента. После этого отложите от базисного колышка нужное расстояние (в нашем случае - 3,6 м) и фломастером отметьте на шнуре положение первого угла. От этой точки отмерьте длину фундамента (14,4 м) и получите положение второго угла.
Теперь можно разметить весь верх фундамента, а затем перенести отвесом его углы на дно котлована (рис. 2).
Рис. 1. Перенос высоты верхней линии фундамента; а) Отгоризонтируйте нивелир и считайте высоту над угловым базисном колышком (1190 мм) б) Из этого значения вычтите перепад высот, который был определен и записан до выборки котлована. В этом примере перепад высот - 830 мм, то есть 1190-830=360 мм. в) Чтобы отметить высоту верхней линии фундамента, у каждой стойки доски обноски совместите отметку 360 мм на линейке с перекрестием нивелира и сделайте на стойках отметки по нижнему торцу линейки | Рис. 2. Провешивание верхней линии фундамента и разметка углов первой стены; Установите доски обноски по углам котлована и натяните между ними шнур, на высоте, соответствующей верху фундамента. Затем, отложив от углового базисного колышка определенный размер, отметьте на шнуре углы фундамента и отвесом перенесите эти точки на дно котлована |
Очевидно, что определив положение углов одной длинной стены фундамента, можно разметить и другую, которая должна располагаться параллельно первой. Снова забейте стойки, с помощью нивелира перенесите на них верхнюю линию фундамента и прикрепите по этим отметкам доски обноски. Затем на заданном расстоянии (в нашем примере — 8,1 м) натяните параллельно первому второй шнур (рис. 3) и приступайте к разметке боковых стен. Заметим, что на первом шнуре два угла фундамента уже определены. А значит, нам нужно лишь натянуть шнуры под прямым углом к этим отметкам, чтобы получить положение боковых стен. Сделать это можно расчетным способом. По теореме Пифагора гипотенуза с прямоугольного треугольника со сторонами а=8,1 м и Ь=14,4 м будет равна 16,52 м. Значит, нам нужно лишь растянуть рулетки по диагонали из «угловой точки» на первом шнуре до пересечения значения 16,52 м на ленте со вторым шнуром. Это и будет 3-й угол. Аналогично определяют положение 4-го угла. Для контроля измеряют расстояние между 3-м и 4-м углами. Оно должно равняться 14,4 м (рис. 4).
Рис. 3. Параллельные шнуры. | Рис. 4. Разметка верха фундамента; а) Определите положение длинных стен и одной пары углов. б) Для определения второй пары углов рассчитайте длину диагоналей по теореме Пифагора. в) После этого установите доски обноски и натяните между ними шнуры обозначающие боковые стены |
А если не хочется высчитывать, то можно воспользоваться правилом прямоугольного треугольника со сторонами «3-4-5». Разделите длину боковой стены (8,1 м) на 3. Затем умножьте полученное значение (2,7) соответственно на 4 и 5 и получите второй катет и гипотенузу египетского треугольника (10,8 и 13,5 м). После этого отмерьте 10,8 м от угла и сделайте на шнуре отметку, а затем натяните от нее диагональ длиной 13,5 м (рис. 5).
Рис. 5. Разметка прямых углов фундамента способом расчета углов прямоугольного треугольника со сторонами «3-4-5»; а) Примите один катет прямоугольного треугольника а=8,1 (3x2,7) м, другой Ь=10,8 (4x2,7) м и гипотенузу с=13,5 (5x2,7)м б) Отложите 10,8 м на базисном шнуре и сделайте отметку в) Отложите гипотенузу 13,5 м до пересечения со вторым шнуром и сделайте отметку г) Отложите 14,4 м вдоль базисного шнура и сделайте еще одну отметку д) Если диагонали равны, все размеченные углы будут прямыми
Каким бы способом вы не размечали фундамент, обязательно проконтролируйте разметку — сравните длину диагоналей полученного прямоугольника.
Разметка основания
Определившись с верхом фундамента, можно приступать к разметке основания (напомню, что мы решили делать фундамент из бетонных блоков).
Вполне очевидно, что основание должно быть горизонтальным, а от верхней линии фундамента его верхняя плоскость должна быть на глубине, кратной размерам блоков. В противном случае придется либо «подтягивать» вверх первый ряд кладки, либо резать или обкалывать нижнюю сторону бетонных блоков первого ряда. Все это может вылиться в ненужные хлопоты и в небрежную кладку со слишком толстыми швами, чтобы компенсировать погрешности.
В рассматриваемом примере фундамент по высоте предполагается сложить из 13 рядов полных блоков (рис. 6).
Рис. 6. Разметка основания; Основание должно быть горизонтальным, симметрично размещаться относительно стены фундамента и располагаться на глубине, кратной размерам блоков
Так как каждый блок, включая шов, занимает по высоте 200 мм, нам надо отложить вниз от верхней линии фундамента 200x13=2600 мм. Кроме того, стена фундамента должна проходить точно посередине основания.
Чтобы это сделать, перенесите сформированные шнурами с помощью отвеса углы на дно котлована и отметьте их колышками (см.рис. 2). От этих колышков, показывающих наружные углы фундамента, и размечайте основание. И еще один момент, о котором не следует забывать.
В соответствии со строительными нормами основание должно выступать за стену фундамента на 100 мм. Поскольку мы решили использовать блоки толщиной 300 мм, ширина основания должна быть не менее 500 мм.
Таким образом, чтобы стена фундамента встала точно посередине основания, отложите от колышков 100 мм — наружу и 400 мм — внутрь фундамента. Хотя я бы посоветовал добавить наружу не 100, а 200 мм.
В этом случае после разборки опалубки останется канал шириной 200 мм для устройства дренажа основания (см рис. 6). Очень важно правильно установить опалубку для заливки основания.
Ее щиты должны быть выверены по уровню строго на нужной высоте (в рассматриваемом случае — 2600 мм от верхней линии фундамента).
Дренажная система
Система дренажа для фундамента нужна в том или ином виде. Причем, если условия не позволяют отвести воду от дома (точка сброса воды находится выше основания фундамента), дренаж можно проложить и через основание строения к водосборному колодцу, размещенному в подвале, откуда грунтовые воды затем придется откачивать насосом (рис. 7).
Рис. 7. Устройство дренажа; Если гравитационный дренаж устроить невозможно, в подвале оборудуют водосборный колодец. Из этой емкости грунтовые воды откачивают и отводят через стену фундамента с помощью насоса.
В любом случае трубы нужно укладывать еще до заливки бетона, а значит и всю дренажную систему следует считать частью фундамента и сразу принимать ее в расчет при разметке.
Установка арматуры и шпоночные пазы
Вертикальная арматура усиливает основание и связывает с ним кладку из блоков. Прутки нужно располагать по центру пустот блоков, которые затем заливают жидким раствором. Чтобы правильно установить арматуру, сначала определите середину стены фундамента. В рассматриваемом варианте арматура должна оказаться в середине каждого 4-го блока (или через каждые 800 мм) (см. рис. 7).Значит сначала нужно отложить 100 мм от одного угла, чтобы попасть в середину первого блока, а затем из этой точки откладывать по 200 мм вдоль оси стены (рис. 8).
При установке арматуры работать надо очень быстро — пока цемент не затвердел. Поэтому как можно больше разметочных работ нужно сделать заранее. Например, установив опалубку, вверните в щиты шурупы, обозначающие середину стен. Тогда после заливки бетона, натянув шнуры, вы легко разметите оси стен.
Если же вы решите сделать стену не блочную, а литую бетонную, то в верхней части основания (для соединения его со стеной) придется сделать шпоночную канавку. Для этого во время заливки основания вставьте сверху брусок сечением 50x50 мм, а затем удалите его после отверждения бетона. Канавка должна идти строго по оси стены фундамента (рис. 9).
Рис. 8. Разметка арматуры для в стены из блоков; Арматура связывает блочную стену с основанием. Прутки устанавливают во время заливки основания так, чтобы они стояли точно посередине блоков. Разметьте ось стены фундамента до заливки фундамента, а затем отступив от угла стены на 100 мм, с шагом 800 мм установите арматуру | Рис. 9. Формирование шпоночной канавки в основании фундамента; Шпоночная канавка помогает связать отлитую из бетона стену фундамента с основанием. Вдавите брусок в верхнюю плоскость основания во время заливки. Шпоночная канавка должна проходить по оси стены фундамента, которая в свою очередь тоже должна располагаться посередине основания |
Разметка рядов бетонных блоков
Через несколько дней после заливки основания снимайте опалубку и приступайте к разметке бетонных блоков. Сделать это можно по-разному. Например, с помощью рейки-порядовки (рис. 10).
Рис. 10. Разметка рядов блоков с помощью рейки-порядовки; Установленные в каждом углу рейки-порядовки ускоряют укладку блоков. Определите на рейке верхнюю линию фундамента, а затем, начиная сверху, сделайте разметку через каждые 200 мм
Работу начинают с разметки 4-х наружных углов фундамента (их определяют отвесом, опущенным из точек пересечения шнуров). Затем в каждом углу устанавливают стальную рейку-порядовку (к нижнему их концу приваривают Г-образные кронштейны) и крепят их дюбелями к бетону. Рейки устанавливают строго вертикально и прочно фиксируют в этом положении подкосами.
После этого сверху, начиная от шнура, размечают ряды блоков с шагом 200 мм
А в заключение между рейками-порядовками (на уровне нижней отметки) натягивают шнур и приступают к укладке первого ряда.
© Д. Кэролл (США), журнал "Дом" №3/2006 г.
Уровень сложности: Непросто
1 шаг
Шнуровка ботинка для катания на коньках позволяет распределить нагрузку по ноге равномерно. Правильно зашнурованный ботинок должен составлять единое целое с ногой фигуриста, словно быть ее продолжением.
Для того, чтобы как следует подогнать ботинок по ноге, можно воспользоваться стельками, а чтобы шнуровка держалась, следует обратить внимание на качество шнурков. Если вы приобретаете шнурки отдельно от ботинок, не забудьте измерить их длину, шнурки для коньков значительно
2 шаг
Подбирая шнурки для коньков, обратите внимание, что шнурки не должны быть слишком толстыми. Выбирайте шнурки из нейлона, с небольшим стрейч эффектом, т.е. чтобы они немного растягивались.
Сама шнуровка должна быть классической, без декоративных эффектов, так как от этого будет зависеть качество катания.
3 шаг
Определите, как вам распределить натяжение шнурков в разных областях ботинка.
Начинать шнуровку нужно от носка ботинка, проверяя натяжение каждого перекрестия шнурков. Натяжение шнурков должно быть достаточно сильным, чтобы ботинок плотно сидел по ноге и не вихлялся, но и не чрезмерно затянутым, чтобы не нарушать кровообращение в стопе.
4 шаг
Оптимальная шнуровка ботинка, это чуть слабее натянутые шнурки в области мыска, более плотное натяжение в области подъема, это зафиксирует пятку и голеностоп, и защитит сустав от травмы. Выше подъема шнуровка вновь чуть слабее, чтобы край ботинка не вдавливался в мышцы и не перетягивал ногу.
5 шаг
Кожа в области шнуровки на ботинке, обычно делается более мягкой для того, чтобы голенище лучше обхватывало ноги и для облегчения шнуровки.
Коньки лучше надевать на шерстяной носок, так, чтобы край носка был виден из-за голенища, это будет дополнительной прослойкой, чтобы не натереть ногу краем ботинка.
6 шаг
Обычно, чтобы ботинки сели по ноге, шнуровку перешнуровывают несколько раз. Во время катания шнурки распределяются в соответствии с нагрузкой. Если вы почувствуете, что к какой-либо части ботинка, давление слишком сильное, ослабьте шнурки, или наоборот подтяните, если почувствуете слишком свободное положение на ноге.
Приятного катания!
недавно приобрел себе новую катуху, abu garcia cardinal 701lx, намотал sunline super PE 8 lb. Ловил только на воблеры. Первый день все прекрасно, а потом задолбался узлы обрезать, шнур закручен как не знаю что.. при забросе петли спутываются в итоге узел....
Ловить просто невозможно. Правда ловил без вертлюга. шнур напрямую вязал к флюру, хотя не думаю что вертлюг помог бы, не хватит сопротивления шнура, что бы его поворачивать и раскрутится.
Порылся в нете нашел несколько вариантов ответов (нифига не однозначных)
По катушке
1- Все катушки крутят шнур (1 оборот - 1 виток) и только некоторые Шимано и еще кто-то имеют функцию "переноса закрута на конец шнура"
2- Нормальные катушки нифига не крутят:)
По шнуру
1- Для тонких и мягких шнуров это нормально и его периодически нужно раскручивать
2-В соседней веткеforum/showthread.php?t=15006
многие нормально ловят по сезону таким шнуром, у меня же 4 рыбалки и "опа"
Подскажите пожалуйста что делать с этой бедой и где истина с безинерционными катушками?
Проблема не в шнуре. Проблема в катушке. Если бы Вы ещё больше порылись в инете, то поняли, что шнур тут ни при чём, а нашли бы описание катушки abu garcia cardinal 701lx, в котором написано, что она предназначена для работы с МОНОФИЛЬНЫМИ лесками.
Такой трабл у БОЛЬШИНСТВА таких кардиналов действительно присутствует. Бороться можно несколькими способами:
1. Использовать монофил
2. Не использовать мягкие тонкие ПЕ шнуры.
3. Со шнурами из Дайнимы и Спектры (ПП, Файр Лайн, СЭБ она ещё более-менее справляется, но при этом нужно контролировать петельку и желательно иметь вертушку-турбинку, работающую ПРОТИВ закрутки шнура. Её нужно ставить через оределённое время (как только пойдут перекруты) и раскручивать шнур.
4. У карповиков есть специальные раскручивающие грузила. Ставятся, когда закрутка становится явно видна и через пару забросов шнур раскручивается. Для хеви-медиум-лайта тоже пойдут.
Для УЛ лучше не пробовать.
2 шаг
Перекрутка
Возьмите концы шнурков в руки левый в левую, правый в правую. При необходимости, чтобы ботинок лучше сидел на ноге, потяните за концы в сторону от носка ботинка. Тогда шнурки должны затянуться и ботинок должен начать давить на ногу.
Не переусердствуйте! Шнурки могут порваться или пережать область ступни, что может привести к травмам.
После этого возьмите в правую руку левый шнурок, в левую правый. Оберните один раз левый шнурок вокруг правого, чтобы получить перекрутку (см. рис.). Потяните за концы шнурков в разные стороны, чтобы перекрутка затянулась.
Далее большим пальцем правой руки прижмите перекрутку к ботинку так, чтобы она не распуталась после ослабления натяжения шнурков.
На каждом из шнурков сделайте по петле, загнув конец подобно букве ?U?. Не уберая большой палец с перекрутки возьмите за петли шурки как за концы и сделайте вторую перекрутку аналогично первой (см. выше).
При затягивании второй перекрутки не забудьте убрать большой палец с первой. При хорошем раскладе должнна получиться следующя картина: узел, из него торчат два конца шнурков и две петли. При попытке потянуть за концы шнурков узел развязывается.
Достаточно частая ошибка неправильные петли. Из-за этого конец шнурка проскакивает узел вместе с петлёй, из-за этого бантика не получается. Потренируйтесь со временем придёт умение, появиться опыт.
Короче, эксперементируйте. Удачи Вам! Чтобы у Вас никогда не было проблем с ботинками!
Источники:
http://www.stlouisesjns.com, http://www.poparimsya.com, http://www.parthenon-house.ru, http://a-kak.info, www.rybalka.com, http://www.rybalka.com, http://akak.ru
Еще статьи:
Комментариев пока нет!